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PVQC 電機與電子專業英文詞彙能力國際認證

性歐姆區）與 nonlinear ohmic region（非線性歐姆區），這種分法就變成四個工作區域，如
圖 3。

轉出特性曲線 圖 3 N 通增強型 MOSFET 之特性曲線
圖 2 電晶體 V ce-I c
請注意，BJT 與 MOSFET 兩者所指的 saturation region（飽和區）是不相同的。

表 2 BJT 與 FET 工作區域之比較

BJT FET

active region（工作區；主動區） ohmic region（歐姆區，低電阻特性）
saturation region（飽和區） saturation region （飽和區， 高電阻特）
區域
cutoff region（截止區） cutoff region（截止區，關閉特性）
inverted region（反轉區）
放大電路 active region（工作區；主動區），提 saturation region（飽和區，高電阻特
區域 供較低量的信號失真 性）

做為數位電路開關時，工作在 ohmic region（歐姆區）又分為
saturation region（飽和區）和 cutoff linear ohmic region（線性歐姆區）與
備註
region（截止區） nonlinear ohmic region（非線性歐姆
區）

關於 BJT 與 FET 的三個極點接腳

雙極性接面電晶體（bipolar junction transistor，BJT）常用三個接點的詞彙有：base（基
極）、 collector （集極）、 emitter （射極） 等。 三個極點可做名詞用， 例如， common emitter （共
射極）、common base（共基極）；也可以變成形容詞用，例如，base current（基極電流）、

collector current（集極電流）、common-emitter amplifier（共射極放大器）等。

場效應電晶體（field effect transistor，FET）常用三個接點的詞彙有：source（源極）、
drain（汲極）、gate（閘極）等。三個極點可做名詞用，例如，common drain（共汲極）、
common source（共源極）；也可以變成形容詞用，例如，source follower（源極隨耦器）、
common-source amplifier（共源極放大器）、saturated drain current（飽和汲極電流）等。

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