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第一章 基本電子元件 7

型電晶體，又如編號 2N2646 則為 UJT 等，通常只有多用多查資料手冊才
能記住該元件編號的種類與用途。

編號 2SA684 與 2SD1490 分別為何種用途(高頻或低頻用)與型
式(NPN 或 PNP 型)？

2SA684 為高頻用 PNP 型電晶體
2SD1490 為低頻用 NPN 型電晶體

1-2.2 接面場效電晶體

前小節所述的雙極性接面電晶體(BJT)是由基極電流(I B )去控制集極電
流 (I C ) 的 大 小，所 以 BJT 屬於電流控制元件；而場效電晶體(FET，Field

Effect Transistor)則是利用閘源極電壓(V GS )去改變電場的大小，進而控制汲
極電流(I D )，所以 FET 屬於電壓控制元件。

若將 FET 與 BJT 作比較，則 FET 具有下列優點：
極高的輸入阻抗(100M 以上)，而 BJT 則只有 20 ～30k 左右。

單載子工作，所以低雜訊，適合前置放大器。
熱穩定性較佳，不會如 BJT 產生熱逃脫(thermal runway)現象。
無抵補電壓(offset voltage)存在；即當輸入電壓為 0 時，其輸出電

壓亦為 0，適合作為訊號截波器(chopper)。
不易受輻射(光、熱、磁等)的影響。

可當雙向對稱的類比開關使用，常應用於微電腦的匯流排(Bus)中。
製造簡易、體積小，適合超大型積體電路。
而FET的最大缺點則是其增益頻寬積遠小於BJT，且工作速度(或交換

速度)也不如 BJT 來的快。
接面場效電晶體(JFET，Junction FET)可分為 N 通道(channel)JFET 與 P

通道 JFET 兩種，如圖 1-8 所示為 N 通道 JFET 的符號與結構；在 N 通道的
兩端以歐姆接觸連接導線，形成汲極(D，drain)與源極(S，source)，中間部
份再以擴散方式做成一環狀的 P 型半導體，以導線連接後，即形成閘極

(G，gate)，由於有一環狀的 PN 接面，故稱為接面場效電晶體；而圖 1-9 所
示則為 P 通道 JFET 的符號與結構。