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第一章 基本電子元件 9

(a) I D V DS 特性曲線 (b)轉換特性曲線

圖 1-10 N 通道接面場效電晶體

設某一N通道接面場效電晶體的夾止(pinch-off)電壓V P = 4 ，

且汲源飽和電流I DSS =12 ，試求在下列各閘源極電壓下的
汲極電流 V GS =0 V GS = 2 。

依蕭克力方程式得
0
V GS 2
I D = I DSS 1 =12 1 2 =12 (mA)
V P 4
2
V GS 2
I D = I DSS 1 =12 1 2 =3 (mA)
V P 4

在I D V DS 特性曲線中，當V DS 很小時，通道有如一電阻，所以I D 隨著
V DS 的增加而增加，此區域稱為通道歐姆區，FET 可作為電壓控制電阻器

(VVR，Voltage Variable Resistor 或 VCR，Voltage Control Resistor)使用，常
應用於自動增益控制(AGC，Automatic Gain Control)電路中(註)。當V DS 增至
某一數值後，I D 固定不變不再隨之增加，此區域稱為飽和區或定電流區，

常作為線性放大使用，由於大部分的 JFET 均以小訊號放大居多，故常以
塑膠材質包裝，如 BJT 的小功率包裝方式。