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12 電子電路

(a)結構 (b)符號

圖 1-14 P 通道增強型 MOSFET

空乏型 MOSFET 的I D V DS 特性曲線與 JFET 的類似，如圖 1-15 所示，
兩者不同之處，在於 JFET 有 PN 接面，所以其V GS 不得為順向偏壓，故只

能工作於空乏模式(即｜I D ｜≦｜ I DSS ｜)；而空乏型MOSFET由於有二氧化
矽(SiO 2)作絕緣層，所以，在工作上可分為增強模式(即｜I D ｜≧｜ I DSS ｜)

或空乏模式(即｜I D ｜≦ ｜I DSSS ｜)(註)；但 兩者皆可由蕭克力方程式
I D = I DSS 1 V GS 2 求得其I D 值，所以，其轉換特性曲線也與 JFET 的類似，
V P
如圖 1-16 所示。

(a) N 通道

圖 1-15 空乏型 MOSFET 之I D V DS 特性曲線