Page 15 - AD01703_升科大四技電機與電子群電子學題庫高分關鍵

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( ) 1. 質子之帶電量為
(A)1.610 19 (B)1.6710 27 (C)1.6010 19 (D)9.1110 31 庫侖。
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19
( ) 2. 一庫侖電量含有 (A)1.610 (B)9.1110 (C)6.2510 (D)1.60210 個電子。
( ) 3. 根據近代物理，每個電子軌道可劃分為 s、p、d、f 四個副軌，其中 d 副層應具有最多
電子數 (A)2 (B)6 (C)10 (D)14。
( ) 4. 電子圍繞原子核運轉，若電子距離原子核愈遠，則其能量
(A)愈小 (B)愈大 (C)不一定 (D)與距離無關。

( ) 5. 第 M 層軌道最多可容納幾個電子？ (A)8 (B)18 (C)32 (D)50。
( ) 6. 第 N 層軌道最多可容納幾個電子？ (A)8 (B)18 (C)32 (D)50。
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( ) 7. 電子層中，每一層能容納電子的數目為 (A)n (B)n (C)2n (D)2n 。
( ) 8. 價電子學說中，下列敘述何者錯誤？ (A)價電子數小於 4 價，易吸收電子，為導體
(B)價電子數等於 4 價，為半導體 (C)價電子數大於 4 價，不易失去電子 (D)價電子
數等於八價的物質為良絕緣體。
( ) 9. 某原子其電子共有 33 個，其電性屬於
(A)絕緣體 (B)導體 (C)半導體 (D)以上皆可。

( ) 10. 下列有關半導體之敘述，何者錯誤？ (A)半導體為負溫度係數 (B)半導體溫度愈
高，傳導率愈差 (C)半導體溫度愈高，內阻愈小 (D)半導體內之自由電子多寡與溫
度成正比。
( ) 11. 金屬內之電流是由 (A)電洞 (B)電子 (C)電子與電洞 (D)少數載子 所形成。

( ) 12. 半導體內之電流是由 (A)電子 (B)電洞 (C)電子與電洞 (D)少數載子 所形成。
( ) 13. 半導體之載子性質是 (A)無極性 (B)單極性 (C)雙極性 (D)三極性。
( ) 14. 傳導帶和價電帶之間的能階差稱為禁帶，禁帶最小的是
(A)絕緣體 (B)導體 (C)半導體 (D)以上皆可。

( ) 15. 傳導帶和價電帶之間的能階差稱為禁帶，禁帶最大的是
(A)絕緣體 (B)導體 (C)半導體 (D)以上皆可。
( ) 16. 在金屬中其能隙為 (A)沒有禁帶，傳導帶與價電帶重疊 (B)禁帶不大，能隙約 1eV
(C)禁帶很大，能隙約 10eV (D)禁帶固定為 6eV。

( ) 17. 半導體的傳導性隨溫度上升而 (A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)隨材料而定。
( ) 18. 半導體的電阻隨溫度下降而 (A)變小 (B)變大 (C)不變 (D)隨材料而定。
( ) 19. 電子伏特（electron volt）是什麼物理量的單位？
(A)電量 (B)電場強度 (C)能量 (D)電壓。

( ) 20. 1 個電子伏特（eV）等於
(A)1.610 19 安培 (B)1.610 19 伏特 (C)1.610 19 焦耳 (D)6.2510 19 庫侖。
( ) 21. 在 0K 時，矽的結晶體，其能隙約為多少？
(A)1.12eV (B)0.72eV (C)0.78eV (D)1.21eV。

( ) 22. 在 0K 時，鍺之能隙約為多少？ (A)0.78eV (B)0.72eV (C)1.1eV (D)1.21eV。

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