Page 16 - AD01703_升科大四技電機與電子群電子學題庫高分關鍵

( ) 23. 在室溫下之矽晶體，欲使電子由其共價鍵中釋放出來而成為自由電子，至少需要多少
能量？ (A)1.21eV (B)0.78eV (C)0.72eV (D)1.1eV。
( ) 24. 在室溫下之鍺晶體，欲使電子由其共價鍵中釋放出來而成為自由電子，至少需要多少

能量？ (A)0.78eV (B)0.72eV (C)1.1eV (D)1.21eV。
( ) 25. 決定一物質是否為半導體的是哪一種能帶寬度？
(A)價電帶 (B)禁帶 (C)傳導帶 (D)以上皆可。
( ) 26. 發光二極體，若要發出波長（）為 400nm～700nm 的可見光線，則此種材料的能隙
範圍應介於

(A)1.77eV～3.1eV (B)3.77eV～4.1eV (C)4.65eV～5.9eV (D)5.65eV～6.9eV。
( ) 27. 一原子失去電子後，其游離後將變成
(A)不帶電 (B)帶正電的離子 (C)帶負電的離子 (D)可能帶正電亦可能帶負電。

( ) 28. 下列關於價電子與自由電子的敘述，何者錯誤？ (A)價電子位於原子核最外層軌道
(B)價電子成為自由電子會釋放熱能 (C)自由電子位於傳導帶 (D)價電子脫離原來
的軌道所留下之空缺稱為電洞。
( ) 29. 帶電量 1.6×10 －19 庫侖的電子，通過 1 伏特的電位差，所需的能量為何？
(A)1.6×10 －19 電子伏特 ( eV ) (B)1.6 ×10 －19 焦耳 (C)1 焦耳 (D)1 瓦特。

見解析本 P.3

( ) 30. 本質半導體之 (A)電子與電洞的濃度相等 (B)電子之數目多於電洞 (C)電洞之數
目多於電子 (D)以上皆非。
( ) 31. 本質半導體中在絕對零度時 (A)其性能等於一金屬導體 (B)其性能如同絕緣體

(C)具有甚多數的電子與電洞 (D)具有少數的電子與電洞。
( ) 32. 在絕對零度時，本質半導體內所有的價電子 (A)在價電帶內 (B)在禁止帶內
(C)在導電帶內 (D)均為自由電子。

( ) 33. 半導體中，電荷由一較高載子密度區向較低載子密度區移動稱為
(A)滲透 (B)穿透 (C)擴散 (D)漂移。
( ) 34. 半導體內電荷的傳導方式主要是靠
(A)擴散 (B)擴散或漂移 (C)漂移 (D)以上皆非。
( ) 35. 在 N 型半導體中，傳導電流的載子主要是 (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)分子。

( ) 36. 霍爾效應最主要是用來決定 (A)半導體內的磁場 (B)半導體內電流的大小
(C)金屬的傳導係數 (D)半導體是 N 型材料或 P 型材料。
( ) 37. 在 P 型半導體中流動之電流 (A)大多數為電洞的移動 (B)大多數為自由電子的移動

(C)僅由主要載子的移動 (D)僅由副載子的移動。
( ) 38. 矽之 P 型半導體在常溫時，其能階為多少？
(A)0.01eV (B)0.05eV (C)0.72eV (D)1.12eV。
( ) 39. 在 P 型半導體中，電子的濃度隨著溫度的升高而
(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)視濃度而定。

( ) 40. 整個 P 型半導體是呈現 (A)負電性 (B)正電性 (C)電中性 (D)視原子序而定。

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