Page 17 - AD01703_升科大四技電機與電子群電子學題庫高分關鍵

( ) 41. N 型材料的電位差為 (A)0.2V (B)0.6V (C)1.0V (D)0V。
( ) 42. 在 N 型半導體中，電洞的濃度隨著溫度的升高而
(A)視雜質而定 (B)不變 (C)減少 (D)增加。

( ) 43. 電洞乃是半導體中之一空位，其產生是由於 (A)電子由導電帶向價電帶移動所致
(B)原子核移動所致 (C)質子跳動所致 (D)電子脫離共價鍵所致。
( ) 44. 在鍺加入施體雜質後，欲使價電子脫離共價鍵之束縛，以形成自由電子，需能量
(A)1.1eV (B)0.72eV (C)0.05eV (D)0.01eV。
( ) 45. 在 N 型鍺內 (A)其禁帶寬度較 N 型矽為小 (B)電洞為主要載子 (C)其雜質有三個

價電子 (D)其電洞數目等於自由電子。
( ) 46. 將微量之磷元素摻入純矽晶體內，則 (A)成為施體雜質 (B)成為受體雜質 (C)只有
電洞數目增加 (D)只有電子數目增加。

( ) 47. N 型材料中，自由電子濃度差不多等於
(A)施體 (B)受體 (C)電洞 (D)離子 的濃度。
( ) 48. 若將微量之硼摻於矽中，則 (A)電洞之數目增加較多 (B)自由電子數目增加較多
(C)電洞及電子之數目均同量增加 (D)電子與電洞之數目均同量減少。
( ) 49. 若將微量之磷摻於矽中，則 (A)電洞之數目增加較多 (B)電子之數目減少 (C)電子

之數目增加較多 (D)電洞及電子之數目均同量增加。
( ) 50. 半導體加上施體雜質後，電洞數目
(A)減少 (B)增加 (C)先增加後減少 (D)先減少後增加。
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( ) 51. 一純矽半導體，本質濃度 N i  5 . 1  10 /cm ，原子密度為5 10 /cm ，若於每10 個矽
原子摻入一個施體雜質，則其電洞濃度為多少？
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(A) 5.4  10 /cm (B) 5 10 /cm (C) 5 10 /cm (D) 5 10 /cm 。
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( ) 52. 下列何者為摻入施體 ( donor ) 雜質後之半導體名稱？
(A)P 型半導體 (B)N 型半導體 (C)本質半導體 (D)載子半導體。
( ) 53. 下列敘述何者錯誤？ (A)當溫度昇高時，一般金屬導體電阻增加 (B)半導體（矽
等），溫度上昇時，其電阻下降 (C)在 P 型半導體內，導電的載子主要是電洞 (D)
在 N 型半導體內，電洞的濃度將隨溫度的昇高而減少。
( ) 54. 下列何種元素摻入純質半導體材料中，可將純質半導體的電特性轉變為 P 型半導體？
(A)磷 (B)砷 (C)銻 (D)硼。
( ) 55. 形成 N 型半導體要在本質半導體中加入微量？
(A)二價元素 (B)三價元素 (C)四價元素 (D)五價元素。
( ) 56. 下列敘述何者正確？ (A)在本質（Intrinsic）半導體中加入微量的 5 價元素則形成 P
型半導體 (B)N 型半導體的多數載子為電洞 (C)P 型半導體的少數載子為自由電子
(D)本質半導體中所加入之 3 價元素稱為施體（Donor）。
( ) 57. 在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問此半導體形成何種型式？半導體內部的多

數載子為何？此塊半導體的電性為何？ (A)N 型半導體；電子；電中性 (B)N 型半
導體；電子；負電 (C)P 型半導體；電洞；電中性 (D)P 型半導體；電洞；正電。

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