Page 19 - AD01703_升科大四技電機與電子群電子學題庫高分關鍵

( ) 76. 一般 PN 矽質二極體兩端順向電壓隨溫度變化的情形為
(A)2.5mV/C (B)1mV/C (C)2.5mV/C (D)1mV/C。
( ) 77. 如圖(1)所示，測量一二極體，電表撥在 R10，指針偏轉於

LV 刻度的 0.3V 處，則此二極體為
(A)不良品
(B)矽質
(C)鍺質
(D)可能為矽質，亦可能為鍺質。 圖(1)

( ) 78. PN 二極體是 (A)線性元件 (B)非線性元件 (C)拋物線元件 (D)以上皆非。
( ) 79. 所謂理想二極體，下列敘述何者錯誤？ (A)順向時視為短路，逆向時視為開路 (B)
順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C)無順向電壓降，無逆向電流 (D)順向電壓等

於零，逆向電流無限大。
( ) 80. 二極體不能做下列哪一項工作？ (A)截波 (B)放大 (C)檢波 (D)整流。
( ) 81. 二極體逆向偏壓接面電容量 (A)隨偏壓之升高而增加 (B)與偏壓大小無關 (C)隨
反偏壓之降低而增大 (D)主要係由反向飽和電流決定。
( ) 82. PN 二極體產生障壁電位(barrier potential)的原因，下列何者正確？ (A)P 型半導體自

然產生 (B)N 型半導體自然產生 (C)加偏壓後自然產生 (D)PN 結合時自然產生。
( ) 83. 下列有關二極體電容效應的敘述，何者正確？ (A)過渡電容之值與二極體外加逆向
偏壓大小無關 (B)二極體外加逆向偏壓增加，過渡電容之值亦增加 (C)擴散電容之

值與二極體順向電流大小無關 (D)二極體順向電流增加，擴散電容之值亦增加。
( ) 84. 鍺二極體比矽二極體更適合做檢波器，其原因為何？
(A)鍺二極體的順向切入電壓較小 (B)鍺二極體的逆向峰值電壓較小
(C)鍺二極體的靜態電阻較大 (D)鍺二極體的動態電阻較小。
( ) 85. 下列何者不是二極體常見的功用？ (A)整流 (B)截波 (C)濾波 (D)保護。

( ) 86. 荷電載子在半導體內的漂移 ( drift ) 運動，是源自於下列何者？ (A)熱效應 (B)外
加電壓 (C)載子濃度不均勻 (D)光線照射。
( ) 87. 某矽二極體 η = 2 ，熱電壓V = 25 mV。若其順向電流為 10 mA，則其動態電阻值為
T
何？ (A)5Ω (B)10Ω (C)15Ω (D)20Ω。
( ) 88. 當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？
(A)空乏區變寬、障壁電位增加 (B)空乏區變窄、障壁電位增加
(C)空乏區變寬、障壁電位減少 (D)空乏區變窄、障壁電位減少。
( ) 89. PN 接合時會形成空乏區，若兩邊所摻雜濃度不同時，則空乏區哪一邊會較寬

(A)相同 (B)濃度高者 (C)濃度低者 (D)N 型。
( ) 90. 將所處物理環境完全相同，皆為電中性且原本分離的 P 型矽及 N 型矽直接緊密地接
在一起，則 (A)一開始會有電流由 N 型矽流向 P 型矽 (B)一開始流動的電流大部分

是由雙方的的少數載子移動所造成 (C)平衡後 P 型矽內電洞的數目會較平衡前為多
(D)以上皆非。

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