Page 20 - AD01703_升科大四技電機與電子群電子學題庫高分關鍵
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(    ) 91. 關於 PN 二極體,下列敘述何者錯誤?  (A)PN 接面附近會產生一空乏層,而 P 型側
                          的空乏層內含有負離子  (B)PN 二極體具有單向導電特性,可作為整流、檢波等功能
                          (C)PN 二極體在逆向偏壓下(小於崩潰電壓),沒有電流導通,但仍有微量的逆向飽

                          和電流,其大小與外加偏壓沒有太大關係,但對溫度甚為敏感  (D)PN 接面接上順向
                          偏壓後,則空乏層的寬度變小,使得載子越過接面而到達對面,造成大量的電流流動,
                          所以具有電流放大作用。
              (    ) 92. 如圖(2)所示,有一個 PN 接面的二極體,在 N 型側的總電荷極性為
                          (A)正的  (B)負的  (C)中性的  (D)不能決定。



                                                            圖(2)

              (    ) 93. 下列電子零件編號中,何者為一二極體?  (A)NE555  (B)1N4003  (C)CS9012
                          (D)7404。
              (    ) 94. 由矽半導體所作成的電阻,一般而言,其阻值大小會隨溫度的上升而如何變化?
                          (A)減小  (B)增大  (C)先減小後增大  (D)先增大後減小。

              (    ) 95. 下列何種二極體的主要功用,其正常動作方式不是在逆向偏壓的情況下?
                          (A)光電二極體  (B)稽納二極體  (C)變容二極體  (D)發光二極體。
              (    ) 96. 下列有關二極體特性的敘述,何者不正確?  (A)溫度上升時,切入電壓隨之降低
                          (B)溫度上升時,逆向飽和電流隨之增加  (C)擴散電容效應主要是在逆向偏壓時發生

                          (D)逆向偏壓越大時,則空乏區電容越小。
              (    ) 97. 在室溫下,未加偏壓之 PN 二極體在 PN 接面附近的狀況為  (A)P 型半導體帶正電,
                          N 型半導體帶負電  (B)P 型半導體帶負電,N 型半導體帶正電  (C)P 型及 N 型半導
                          體皆不帶電  (D)P 型及 N 型半導體所帶之電性不固定。

              (    ) 98. 下列有關 PN 接面二極體的敘述,何者有誤?  (A)矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高
                          (B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄  (C)溫度上升時,障壁電壓上升  (D)溫度上升
                          時,漏電流上升。
              (    ) 99. 下列何者為二極體之編號?  (A)A741  (B)1N4004  (C)2N9012  (D)NE555。

              (    ) 100. 二極體的空乏區,隨著逆偏電壓的增加而產生何種變化?
                          (A)增加  (B)減少  (C)不變  (D)先減後增。


                                                                                  見解析本 P.5
              (    ) 101. 對於二極體,下列敘述何者正確?  (A)用在檢波時,要工作在非線性區  (B)串聯可

                          增加最大電流  (C)並聯可增最大逆向電壓  (D)施加逆向偏壓愈大,則空乏區寬度變
                          小。
              (    ) 102. PN 二極體逆向飽和電流 I S 於溫度每上升 10C 約增加一倍,有一二極體於 300K 時,

                          I S 1A,於 400K 時,I S 應為  (A)100A  (B)200A  (C)800A  (D)1024A。









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