Page 18 - AD01703_升科大四技電機與電子群電子學題庫高分關鍵

( ) 58. 矽、鍺半導體材料的導電性，隨溫度上升而產生何種變化？
(A)成為絕緣體 (B)減少 (C)不變 (D)增加。

見解析本 P.4
2
3
8
9
( ) 59. 一般二極體的雜質和本質濃度比約為 (A)1：10 (B)1：10 (C)1：10 (D)1：10 。
( ) 60. PN 接面二極體的接合面兩側空乏區中
(A)都有正負離子 (B)有電洞 (C)各有正負離子 (D)有自由電子。
( ) 61. 障壁電勢乃是其區域內有 (A)電子 (B)電洞 (C)正離子及負離子 (D)正負電壓。

( ) 62. PN 二極體接面附近所形成接觸電勢的極性是
(A)視偏壓而定 (B)視溫度而定 (C)P 端正、N 端負 (D)P 端負、N 端正。
( ) 63. 一 PN 接面之障壁電勢係由接面兩端之電荷建立，該電荷為
(A)主要載子 (B)副載子 (C)固定之施體及受體離子 (D)自由電子。

( ) 64. 在 PN 二極體中，較易產生電子流的方向是 (A)由 P 型至 N 型區 (B)由 N 型至 P 型
區 (C)兩方向都很容易 (D)兩方向都很難。
( ) 65. Ge 二極體作為檢波器是因為
(A)雜波少 (B)頻率反應佳 (C)順向切入電壓小 (D)內阻小。

( ) 66. 雜質濃度相同之 PN 接合二極體之空乏層，以哪一型區所佔之寬度較大
(A)N 型區 (B)P 型區 (C)兩區相等 (D)不能比較。
( ) 67. 下列敘述何者正確 (A)電源正端接 P，負端接 N，稱為逆向偏壓 (B)P 端接負，N
端接正，稱為順向偏壓 (C)外加逆向偏壓時，空乏區的寬度加大 (D)外加順向偏壓

時，空乏區的寬度立即消失。
( ) 68. 二極體若加順向偏壓，則
(A)障壁電壓降低，空乏區寬度減小 (B)障壁電壓增加，空乏區寬度減小
(C)障壁電壓增加，空乏區寬度增加 (D)障壁電壓降低，空乏區寬度增加。

( ) 69. 二極體所加之反向偏壓可 (A)降低勢障 (B)升高勢障 (C)大量增加主要載子電流
(D)視接面電位而決定其作用。
( ) 70. 半導體 PN 接合面出現空乏區，在何情況下更加明顯？
(A)斷路時 (B)短路時 (C)順向偏壓時 (D)逆向偏壓時。

( ) 71. 續上題，利用空乏區可做成
(A)壓控電容 (B)壓控電阻 (C)電壓電感 (D)隧道二極體。
( ) 72. 二極體加上順向電壓時，會有
(A)過渡電容 (B)位障電容 (C)漂移電容 (D)擴散電容。

( ) 73. 二極體加上逆向電壓時，會有
(A)位障電容 (B)過渡電容 (C)漂移電容 (D)擴散電容。
( ) 74. 就 PN 接面而言，逆向飽和電流 I o 的大小，下列敘說何者為真？ (A) I o 與逆向電壓
無關 (B) I o 與溫度成直線正比 (C) I o 與逆向電壓成正比 (D) I o 與逆向電壓成反比。

( ) 75. 二極體施以逆向電壓時，仍有微小電流產生，此乃因 (A)主載子的流動所致
(B)副載子的流動所致 (C)主副載子同時流動所致 (D)以上皆非。

2-5