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1-4.2 積體電路族群

積體電路依其使用電晶體的不同，可分為雙極性（bipolar）的雙極性

接面電晶體（bipolar junction transistor, BJT）與單極性（unipolar）的金屬氧
化物半導體場效應電晶體（metal-oxide semiconductor field-effect transistor,

MOSFET）兩大類。

1 雙極性

以雙極性電晶體為主要構成元件；如常用的電晶體-電晶體邏輯

（TTL）和射極耦合邏輯（emitter-coupled logic, ECL）等。

2 金屬氧化物半導體

以單極性的金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）為主要

構成元件；如常用的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）場效應電晶體

邏輯及金屬氧化物半導體（MOS）場效應電晶體邏輯等。

一般而言，雙極性的電晶體邏輯族因其電晶體的極間電容較小，故速

度較快，即傳遞延遲時間較短。而單極性的金屬氧化物半導體邏輯族，因
場效應電晶體的極間電容較大，故速度較慢。但是由於場效應電晶體製作

所需面積較雙極性電晶體小，可增加 IC 的製作密度，在一般大型、超大

型與極大型積體電路的製作上，都以 MOS 及 CMOS 邏輯族為主。

常用的邏輯電路依其結構的不同主要可分為四大類，其特點如下：
TTL： 速度快、發展最早、應用最廣、包裝最齊全的邏輯族。在製造

上，一般小、中型甚至大型的 IC 包裝都有。

ECL： 速度最快、消耗功率（power dissipation）最大的邏輯族。其包裝

種類較少，僅被使用在需要極高速運作的場合。
MOS：速度慢、消耗功率小，但因其擁有高製作密度的特點，故大都用

在大型甚至超大型的積體電路的製作中。近年來由於CMOS製作

技術的精進與電路性能的躍昇，已幾乎被 CMOS 所完全取代。

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